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By Dr. rer. nat. H. Tholl (auth.)

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Der Flachs: Flachsspinnerei Zweite Abteilung

Dieser Buchtitel ist Teil des Digitalisierungsprojekts Springer ebook files mit Publikationen, die seit den Anfängen des Verlags von 1842 erschienen sind. Der Verlag stellt mit diesem Archiv Quellen für die historische wie auch die disziplingeschichtliche Forschung zur Verfügung, die jeweils im historischen Kontext betrachtet werden müssen.

Probleme des Kreuzstrom-Wärmeaustauschers

Die Anregung fiir die vorliegende Arbeit ergab sich bei einer ver gleichenden Untersuehung versehiedener Bauarten von Warmeaustau an einer exakten theoretisehen sehern fiir Gasturbinen. Das Interesse Erfassung der Vorgange im W rmeaustauseher ist hier besonders groB, weil. die Kosten des Warmeaustauschers bei Gasturbinen hoher Wirtsehaft lichkeit vielfaeh einen erhebIichen Prozentsatz der gesamten Anlage kosten ausmaehen.

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Der Widerstand Rs = 280 Q ist so gewiihIt, daB die Gerade wieder im Arbeitspunkt A die Obertragungskennlinie 1 schneidet. ~ Anwendungen 37 Verringerung der Spannungsverstarkung zu vermeiden, muB der Widerstand Rs kapazitiv tiberbrtickt werden (s. Kleinsignalverstarkung der Source-SchaItung, S. 38). Offensichtlich wird die Schwankung des Drain-Stroms urn so kleiner, je geringer die Neigung der Widerstandsgeraden, je groBer also der Source-Widerstand Rs wird. AlIerdings verringert sich dann auch zunehmend der Drain-Ruhestrom; der Arbeitspunkt A verschiebt sich.

2) FdB = 10 Ig F = 10 Ig 3,5 = 5,44 dB. Diese berechneten Werte sind typisch fUr FETs und zeigen, daB die verwendeten Naherungen zulassig sind. Beispiel 8. f = 1 MHz betrieben. Man berechne den Effektivwert iir der an seinem Eingang liegenden Rauschspannung. Aus iirNM= 8 nVNHz erhaIten wir iir = (8 nVNHz) 11MH~ = SILV. 1 Schaltzeichen eines N-KanalDappel-Gate-FET vam Vcrarmungstyp D Drain-, B Bulk- und S Source-Anschlul3; G1 erstes und G2 zweites Gate Hiiufig werden im Bereich des FET-Kanals zwischen Drain und Source zwei Gates angebracht, so daB der Drain-Strom ID mit zwei unabhiingigen Spannungen gesteuert werden kann.

1) in GI. 3) die somit vom Verhiiltnis Drain-Source-Widerstand zu Generatorwiderstand abhiingt. Beispiel 7. Ein FET hat im gewahlten Arbeitspunkt den differentiellen Drain-Source-Widerstand 'DS = 5 kQ und wird von einem Generator mit dem Ausgangswiderstand RG = 2 kQ angesteuert. f und seine Rauschzahl F bzw. F dB • Mit der Temperaturspannung UT = 26 mV fUr die Temperatur T = 300 K und der Elementarladung e = 1,6· 10- 19 As erhalten wir aus Gl. f= ~4 UT e'DS = ~4 . 26 mV . 1,6· 10- 19 As . 5 kQ = 9,1 nVNHz Aus Gl.

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